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3DD13002E View Datasheet(PDF) - Jilin Sino-Microelectronics

Part Name
Description
MFG CO.
3DD13002E
Hwdz
Jilin Sino-Microelectronics Hwdz
'3DD13002E' PDF : 5 Pages View PDF
1 2 3 4 5
R
3DD13002E
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)
项目
符号
集电极发射极直流电压
集电极发射极直流电压
发射极基极直流电压
最大集电极直流电流
最大集电极脉冲电流
最大集电极耗散功率
最高结温
贮存温度
Parameter
Symbol
Collector- Emitter VoltageVBE=0VCES
Collector- Emitter VoltageIB=0VCEO
Emitter-Base Voltage
Collector CurrentDC
Collector Currentpulse
VEBO
IC
ICP
Total Dissipation (TO-126)
PC
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature
Tstg
数值
Value
600
400
9
0.8
1.6
20
150
-55~+150
单位
Unit
V
V
V
A
A
W
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTIC
项目
测试条件
最小值 典型值 最大值
Parameter
Tests conditions
Value(min) Value(typ) Value(max)
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
Ic=10mA,IB=0
Ic=1mA,IB=0
IE=1mA,Ic=0
400
470
-
600
820
-
9
14
-
ICBO
VCB=600V, IE=0
ICEO
VCE=400V,IB=0
IEBO
VEB=9V, IC=0
-
-
5
-
-
10
-
-
5
hFE
VCE(sat)
VCE=10V, IC=50Ma
VCE=5V, IC=1A
IC=0.5A, IB=100Ma
10
20
40
3
5
-
-
0.4
0.8
VBE(sat)
tf
ts
IC=0.5A, IB=100Ma
VCC=24V IC=0.1A,IB1=-IB2=0.02A
-
1.0
1.1
-
-
0.7
-
-
4
fT
VCE=10V, Ic=0.05A
4
-
-
单位
Unit
V
V
V
μA
μA
μA
-
-
V
V
μS
μS
MHz
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
结到环境的热阻 TO-126
Thermal Resistance Junction Case TO-126
符 号 最小值 最大值
Symbol Value(min) Value(max)
Rth(j-c)
-
6.25
单位
Unit
/W
版本:200910D
2/5
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