JCS12N60FT-O-F-N-B View Datasheet(PDF) - Jilin Sino-Microelectronics
Part Name
Description
MFG CO.
'JCS12N60FT-O-F-N-B' PDF : 10 Pages View PDF
R
JCS12N60T
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项目
符号
测试条件
最小 典型 最大 单位
Parameter
关态特性 Off –Characteristics
Symbol
Tests conditions
Min Typ Max Units
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
BVDSS
ID=250μA, VGS=0V
600 - - V
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
ΔBVDSS/Δ ID=250μA, referenced to
TJ
25℃
- 0.5 - V/℃
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
正向栅极体漏电流
VDS=600V,VGS=0V,
TC=25℃
VDS=480V, TC=125℃
- - 1 μA
- - 10 μA
Gate-body leakage current,
forward
IGSSF
VDS=0V, VGS =30V
- - 100 nA
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
IGSSR
VDS=0V, VGS =-30V
- - -100 nA
通态特性 On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
VDS = VGS , ID=250μA
3.0 - 5.0 V
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
RDS(ON) VGS =10V , ID=6A
- 0.56 0.65 Ω
正向跨导
Forward Transconductance
gfs
动态特性 Dynamic Characteristics
VDS = 40V, ID=6A（note 4） - 13 - S
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
Ciss
Coss
VDS=25V,
VGS =0V,
f=1.0MHZ
- 1790 2410 pF
- 175 229 pF
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
Crss
- 23 31 PF
版本：201010C
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