JCS640C-O-C-N-B View Datasheet(PDF) - Jilin Sino-Microelectronics
Part Name
Description
MFG CO.
'JCS640C-O-C-N-B' PDF : 10 Pages View PDF
R
JCS640
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
td(on)
tr
VDD=100V,ID=18A,RG=25Ω - 54 70 ns
（note 4，5）
- 104 162 ns
延迟时间 Turn-Off delay time
td(off)
- 327 395 ns
下降时间 Turn-Off Fall time
tf
- 107 145 ns
栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg
VDS =160V ,
- 47 62 nC
栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs
栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd
ID=18A
- 8 - nC
VGS =10V （note 4，5） - 22 - nC
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
IS
- - 18 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
ISM
- - 72 A
正向压降
Drain-Source Diode Forward
VSD
VGS=0V, IS=18.0A
Voltage
- - 1.48 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
trr
VGS=0V, IS=18.0A
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
dIF/dt=100A/μs (note 4)
Qrr
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
- 195 - ns
- 1.48 - μC
项目
Parameter
最大
单
符号
Max
位
Symbol
JCS640C
JCS640F
Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.89
2.85
℃/W
结到环境的热阻
Rth(j-A)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
62.5
62.5
℃/W
注释：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=1.2mH, IAS=18A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结
温 TJ=25℃
3：ISD ≤18A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温
TJ=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
Notes:
1：Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=1.2mH, IAS=18A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25℃
3：ISD ≤18A,di/dt ≤200A/μs,VDD≤BVDSS, Starting
TJ=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201007A
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