JCS740C View Datasheet(PDF) - Jilin Sino-Microelectronics
Part Name
Description
MFG CO.
'JCS740C' PDF : 12 Pages View PDF
R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
td(on)
tr
VDD=200V,ID=10A,RG=25Ω
（note 4，5）
延迟时间 Turn-Off delay time
td(off)
下降时间 Turn-Off Fall time
tf
栅极电荷总量 Total Gate Charge Qg
栅－源电荷 Gate-Source charge Qgs
栅－漏电荷 Gate-Drain charge Qgd
VDS =320V ,
ID=10A
VGS =10V （note 4，5）
JCS740
- 20 50 ns
- 80 170 ns
- 125 260 ns
- 85 180 ns
- 60 71 nC
- 7.4 - nC
- 27 - nC
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
IS
- - 10 A
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
ISM
- - 40 A
Drain-Source Diode Forward
VSD
VGS=0V, IS=10A
- 1.5 - V
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
trr
VGS=0V, IS=10A
- 330 - ns
dIF/dt=100A/μs (note 4)
Qrr
- 3.57 - μC
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
项目
Parameter
符号
Symbol
最大
Max
JCS740S/B/C
JCS740F
单位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.93
2.86
℃/W
结到环境的热阻
Rth(j-A)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
62.5
62.5
℃/W
注释：
1：脉冲宽度由最高结温限制
2：L=7.9mH, IAS=10A, VDD=50V, RG=25 Ω,起始结
温 TJ=25℃
3：ISD ≤10A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温
TJ=25℃
4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工作温度无关
Notes:
1 ： Pulse width limited by maximum junction
temperature
2 ： L=7.9mH, IAS=10A, VDD=50V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25℃
3 ： ISD ≤10A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting
TJ=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201008B
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