JCS840 View Datasheet(PDF) - Jilin Sino-Microelectronics
Part Name
Description
MFG CO.
'JCS840' PDF : 12 Pages View PDF
R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
JCS840
项目
符号
测试条件
最小 典型 最大 单位
Parameter
关态特性 Off –Characteristics
Symbol
Tests conditions
Min Typ Max Units
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
BVDSS B
B
IBDB=250μA, VBGSB=0V
500 - - V
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
ΔBVBDSSB/Δ IBDB=250μA, referenced to
TJB
B
25℃
-
0.55 -
V/℃
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS B
B
正向栅极体漏电流
VBDSB=500V,VBGSB=0V,
TBCB=25℃
VBDSB=400V, TBCB=125℃
- - 10 μA
- - 100 μA
Gate-body leakage current,
forward
IBGSSFB
VBDSB=0V,
VGS B
B
=30V
- - 100 nA
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
IBGSSRB
VBDSB=0V,
VGS B
B
=-30V
- - -100 nA
通态特性 On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
VBGS(th)B
V = V , DS B
B
GS B
B
IBDB=250μA
2.0 - 4.0 V
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
RBDS(ON)B
VGS B
B
=10V
,
IBDB=4.0A
- 0.65 0.8 Ω
正向跨导
Forward Transconductance
gfsB
B
VDS B
B
=
40V,
IBDB=4.0A（note
4）
-
7.3 -
S
动态特性 Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
Ciss B
B
Coss B
B
VBDSB=25V,
VGS B
B
=0V,
f=1.0MHBZB
- 1400 1800 pF
- 145 190 pF
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
Crss B
B
- 35 45 pF
版本：201007A
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