ยก Semiconductor
MSM514800C/CSL
AC Characteristics (2/2)
(VCC = 5 V ยฑ10%, Ta = 0ยฐC to 70ยฐC) Note 1, 2, 3
Parameter
MSM514800 MSM514800 MSM514800
Symbol C/CSL-60 C/CSL-70 C/CSL-80 Unit Note
Min. Max. Min. Max. Min. Max.
Write Command Set-up Time
tWCS
0
โ
0
โ
0
โ ns 9
Write Command Hold Time
tWCH 15
โ
15
โ
15
โ ns
Write Command Hold Time from RAS
tWCR 50
โ
55
โ
60
โ ns
Write Command Pulse Width
tWP 15 โ 15 โ 15 โ ns
OE Command Hold Time
tOEH 15
โ
20
โ
20
โ ns
Write Command to RAS Lead Time
tRWL 15
โ
20
โ
20
โ ns
Write Command to CAS Lead Time
tCWL 15
โ
20
โ
20
โ ns
Data-in Set-up Time
tDS
0
โ
0
โ
0
โ ns 10
Data-in Hold Time
tDH 15 โ 15 โ 15 โ ns 10
Data-in Hold Time from RAS
tDHR 50
โ
55
โ
60
โ ns
OE to Data-in Delay Time
tOED 15
โ
20
โ
20
โ ns
CAS to WE Delay Time
tCWD 40
โ
50
โ
50
โ ns 9
Column Address to WE Delay Time
tAWD 60
โ
65
โ
70
โ ns 9
RAS to WE Delay Time
tRWD 90 โ 100 โ 110 โ ns 9
CAS Precharge WE Delay Time
tCPWD 65
โ
70
โ
75
โ ns 9
CAS Active Delay Time from RAS Precharge tRPC 10
โ
10
โ
10
โ ns
RAS to CAS Set-up Time (CAS before RAS) tCSR 10
โ
10
โ
10
โ ns
RAS to CAS Hold Time (CAS before RAS) tCHR 15
โ
15
โ
15
โ ns
RAS Pulse Width
(CAS before RAS Self-Refresh)
tRASS 100 โ 100 โ 100 โ ms 11
RAS Precharge Time
(CAS before RAS Self-Refresh)
tRPS 110 โ 130 โ 150 โ ns 11
CAS Hold Time
(CAS before RAS Self-Refresh)
tCHS โ40 โ โ50 โ โ60 โ ns 11
7/16