TMG10C80F View Datasheet(PDF) - SanRex Corporation
Part Name
Description
MFG CO.
'TMG10C80F' PDF : 2 Pages View PDF
1
2
TMG10C80F
Gate Characteristics
１００
１０
VGM（10V）
PGM（5W）
１
０．１
１０
PG（AV（） 0.5W）
25℃
1＋
GT１
1−
GT１
1−
GT３
VG（D 0.2V）
１００
１０００
Gate Curren（t mA）
RMS On-State Current vs
Maximum Power Dissipation
１４
１００００
１２
１０
８
６
θ
π
０
2π
θ
３６０゜
θ：Conduction Angle
θ＝１８０゜
θ＝１５０゜
θ＝１２０゜
θ＝９０゜
θ＝６０゜
θ＝３０゜
４
２
０
０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ １１
RMS On-State Curren（t A）
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
１２０
１００
８０
６０
６０HZ
５０HZ
４０
２０
０
１
２
５
１０
２０
Time（Cycles）
５０ １００
IGT −T（j Typical）
１０００
５００
２００
１００
５０
２０
１０
−５０
I＋GT１（1＋）
I−GT１（1−）
I−GT３（3−）
０
５０
１００
Junction Temp. T（j ℃）
１５０
On-State Characteristics（MAX）
２００
１００
５０
２０
１０
５
２
１
０．５
０．２
０．５
１．０
１．５
２．０ ２．５
On-State Voltage（V）
Ｔｊ=２５℃
Ｔｊ=１２５℃
３．０
３．５
RMS On-State vs
Allowable Case Temperature
１２５
１１５
１０５
９５
０
θ
π
2π
８５
θ
３６０゜
θ：Conduction Angle
７５
０
２
４
６
８
RMS On-State Curren（t A）
θ＝30゜
θ＝60゜
θ＝90゜
θ＝120゜
θ＝150゜
θ＝180゜
１０
Transient Thermal Impedance
１０
１
０.１
０.０１
０.１
１
１０
Time（Sec.）
VGT −T（j Typical）
１０００
５００
２００
１００
５０
V−GT３（3−）
V＋GT１（1＋）
V−GT１（1−）
２０
１０
−５０
０
５０
１００
Junction Temp. T（j ℃）
１００
１５０
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